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文章来历：阿克学习那点事原文作者：阿克赵先生本文首要介绍铜大马士革工艺概述铜相较于铝，展现出较低的电阻率（铜为1.67微欧·厘米，铝为2.67微欧·厘米）和更强的电搬迁抗力（铜的晶格与晶界分散能分别为2.2eV和0.7至1.2eV，而铝则分别为1.4eV和0.4至0.8eV），赋予了它更高的可靠性。③进行通孔的光刻处理：苏区在不进行沟槽蚀刻的情况下，再次进行曝光与显影，构成通孔的图形，如图21所示。

当时，域库TaN/Ta组合已成为铜阻挠层的首选资料，因其对铜的分散激活能极高，能有用遏止铜的分散。在当时的后端工艺中，车市产生第一层金属层M1首要选用单镶嵌工艺，而M2至Mx层因触及通孔层与金属层，故多选用双镶嵌工艺，即一起构成两层结构。在此进程中，新疆有几个要害参数需求特别留意，包含层间介质（ILD）的丢失量、氮化钛（TiN）的残留量以及侧壁的视点。

此进程包含：阿克将镀铜硅片正面朝上置于卡槽内高速旋转，阿克一起从硅片边际的喷嘴喷出必定份额的双氧水和硫酸混合溶液，以去除硅片边际的铜层，而阻挠层则保存在硅片上。(1)如图1所示，苏区首要在触摸孔上方，苏区运用等离子体增强化学气相堆积（PECVD）技能，顺次堆积了氮掺杂碳化硅（NDC，即SiCN）层、金属间介质（IMD）层以及四乙氧基硅烷（又称正硅酸乙酯，TEOS）层。

这一进程首要分为三个进程：域库首要是铜种子层的成长，为后续的铜电镀供给必要的导电根底。

为了完结更精准的深度操控，车市产生可在BD层中嵌入如氮化硅（SiN）层等蚀刻阻挠层，以约束沟槽蚀刻深度，避免过蚀刻导致的深度失控。在进行挑选的时分，新疆务必要根据卧室的详细面积以及光线情况，来确认适宜的亮度规范

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